SK 海力士今日宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 12 层HBM4 内存，并在全球率先向主要客户出样了 12Hi HBM4。SK 海力士在 12Hi HBM4 上采用了 24Gb DRAM 芯片，继续使用了 Advanced MR-MUF（先进批量回流-模制底部填充）键合工艺，单封装容量达 36GB，带宽达 2TB/s，运行速度较 HBM3E 提升了 60% 以上。